真空清洗一般定義為在真（zhēn）空工藝進行前，先從工件或係統材料表麵清除所不期（qī）望的物質的過程（chéng）。真空零部件的表麵清洗處理是很必要的，因（yīn）為由汙染物所造成的氣體、蒸氣源會使真空係統（tǒng）不能獲得所要求的真空度。此外，由於汙染物的存在，還會影響真空部（bù）件連（lián）接處的強度和密封性能。

一．真（zhēn）空加熱清（qīng）洗（xǐ）

    將工件放置於常（cháng）壓或真空中加熱．促使其表麵上的揮發（fā）雜質蒸發來達到清洗的目的，這種方法的清洗效果與工件的環境壓力、在真空中保留時間（jiān）的長短、加熱溫度（dù）、汙染（rǎn）物的（de）類型及工件（jiàn）材料有（yǒu）關。其原理是加熱工件．促使其表麵吸附的水（shuǐ）分子和各種碳氫化（huà）合物分子的解吸作用增強。解吸增強的程度與（yǔ）溫度有關（guān）。在超高真空下，為了得到原子級清潔（jié）表麵，加熱溫度必高於450度才行．加熱清洗方法特（tè）別有效。但（dàn）有時，這種處理方法也會產生（shēng）副作用。由於加熱的結果，可能發（fā）生某些碳氫化合物聚合成較大的團粒，並同時分解（jiě）成碳渣.

二．紫外線輻照（zhào）清洗

利用紫外輻照（zhào）來（lái）分解表麵上的碳氫化合物。例如，在空氣中照射（shè）15h就可產生清潔的玻璃表麵。如（rú）果（guǒ）把適（shì）當預清洗的（de）表麵放在一個產生臭氧的紫外線源中．要不了幾（jǐ）分鍾就可以形成清潔表麵（工藝清潔)。這表明臭氧的存在增加了清潔速率。其清洗機理是：在紫外線照射下（xià），汙物（wù）分子受激並離解，而臭氧的生（shēng）成和存在產生高活性（xìng）的原子態氧。受激的汙物分子和由汙物離解產生的自由（yóu）基與原子態氧作用．形成較簡單易揮發分子．如H203、CO2和（hé）N2．其反應（yīng）速率隨溫度（dù）的增加而增加．

三．放電（diàn）清洗

這種清洗方法在高真空，超高真（zhēn）空係統的清洗除氣中應用的非常廣泛．尤其是在真空（kōng）鍍膜設（shè）備中（zhōng）用的最多。利用熱絲或電極作為電子源．在其相對於待清洗的表麵加負偏壓可以實現離子轟擊的（de）氣體解吸及某些碳氫化合物的去除．清洗效果取決於（yú）電極（jí）材料、幾何形狀（zhuàng）及其與表麵的關係．即取決於單位（wèi）表麵積上的離子數和離（lí）子能量．從而取決於有效電功率。在真空室中充入適當分壓力的惰性氣體(典型的如Ar氣（qì）)．可（kě）以利用兩個適當的電（diàn）極間的低壓下的輝光放電產生的離子轟擊（jī）來達到清洗的目的。該方法中．惰性（xìng）氣體被離（lí）化並轟擊真空室內（nèi）壁、真空室內的其它結構件及被（bèi）鍍基片，它可以（yǐ）使某些（xiē）真空係統免除被高溫烘烤（kǎo）。如果在充入的（de）氣體中加入氧氣，對某些碳（tàn）氫化合物可以獲得更好的（de）清洗效果。因為氧氣可以使某些碳氫化合物氧化（huà）生成易揮發性氣體（tǐ）而容易被真空係統排除。不鏽鋼高真（zhēn）空和超高真空容器（qì）表麵上雜質的主要（yào）成（chéng）分是碳和碳氫化合物。一般（bān）情況下，其中的（de）碳不能單獨揮發．經化學清洗後，需要引入Ar或Ar+O2混合氣體進行輝光放電清（qīng）洗，使表（biǎo）麵上的雜質（zhì）和由於化學作（zuò）用被束縛在表麵上的（de）氣體得到清除．在輝光放（fàng）電清洗中．最重要的參數是外（wài）加電壓的類型(交流或（huò）直流），放電電壓大小（xiǎo）、電流密度、充入氣體種類和壓力．轟（hōng）擊的持續時間．電極的（de）形狀以及（jí）待清洗的部（bù）件的材料和位置等．

四.氣體衝洗

1.氮氣（qì）衝（chōng）洗

氮氣在材料表麵（miàn）吸附時，由於吸附（fù）能小，因而吸留表麵時間極短.即便吸附在器壁上，也很容易被抽走。利用氮氣的這種性質衝洗真空係統（tǒng），可以大大縮短係統的抽氣時間。如真空鍍膜（mó）機在（zài）放入大氣之前，先用幹燥（zào）氮氣充入真空室衝刷一下再充入大氣，則下（xià）一抽氣循環的抽氣時間可縮短近一半，其原因為氮分予的（de）吸附能（néng）遠比水氣分子（zǐ）小，在真空下充入氮氣後，氮分子（zǐ）先被真（zhēn）空室壁吸附了。由（yóu）於吸附（fù）位（wèi）是一定的（de），先被氮分子（zǐ）占滿（mǎn）了，其吸附的水分子就很少了，因而使抽氣時（shí）間縮短了。如（rú）果係統被擴散泵油噴濺汙染了，還可以利用氮氣衝（chōng）洗法來清洗被汙染的係統.一般（bān）是（shì）一邊對係統進行烘烤加熱，一邊用氮氣衝洗係統，可將油汙染消除。

2. 反應（yīng）氣體衝洗（xǐ）

這種方法特別適用於大型（xíng）超高不鏽鋼真空係統（tǒng）的內部洗(去除碳氫化合物汙染（rǎn）)。通常對於某（mǒu）些大型超高真空係統的真空室和真空元件，為了獲得原（yuán）子態的清（qīng）潔表（biǎo）麵，消除其表（biǎo）麵汙染的標準方（fāng）法是化學清洗，真空爐焙燒、輝光放電清洗及原能烘烤真空係統等方法。以上的清洗和除氣方法常用於真空係統安裝前及裝配期間。在真空係統安裝後(或係統運（yùn）行（háng）後)，由於真空係統內（nèi）的各種（zhǒng）零部件已經被固定，這時對它們進行除氣處理就很困難，一旦係統受到(偶然)汙染(主要是大原子數的分（fèn）子（zǐ）如碳氫化合物的汙染)，通常要（yào）拆卸後重新（xīn）處理再安裝．而（ér）用反（fǎn）應氣體工藝，可以進行（háng）原（yuán）位在線（xiàn）除氣處理．有效地除去不鏽鋼真空室內的碳氫化（huà）合物的汙染.其（qí）清洗機理：在係統中引述氧化性氣體(O2、N0 )和還原性氣（qì）體(H2、N H3)對金屬表麵進行化學反應清洗，消除汙染，以便獲得原子態的清潔（jié）金屬表麵。表麵氧化／還原的速率取決於汙染的情況及金屬（shǔ）表（biǎo）麵的材質，表麵反應速率（lǜ）的大小通過調整反應氣（qì）體的壓力和溫（wēn）度（dù）來控製。對於每一種基材而（ér）言，精確的參數要通過（guò）實驗來（lái）確定.對於不同的結晶取向（xiàng），這些參數是不同的．

真空鍍膜機清洗的工藝要求

真空工藝進行前（qián）應清洗真空材料，從（cóng）工件或係統材料表（biǎo）麵清除汙染物；真空零部件的（de）表（biǎo）麵清洗處理（lǐ）也是非（fēi）常有必要的（de），因為由汙染物所造成的氣（qì）體、蒸氣源不僅會使真空（kōng）係統不能獲得所要求的真空度（dù）。而（ér）且由於汙染物的存在，同時也會影響真空部件（jiàn）連接處的強度和密封性（xìng）能。

汙染物（wù）可以定義為“任（rèn）何一種無用的物質或能量”，根據汙染物的物理狀態可分（fèn）為固體、氣體及液體，它們以（yǐ）膜或（huò）散粒形式存在。就其化學特征（zhēng）來看，它可以（yǐ）處於離子態或共價態，可以是無機物或有（yǒu）機（jī）物。

暴露在空氣中的表麵最易受到汙染，汙染的來源（yuán）有很多種，最初的汙染通常是表麵（miàn）本身形成過程中的一部分。吸附（fù）現象、化學反應、浸析和幹燥過程、機械處理以及擴散和離（lí）析過程都（dōu）使各種成（chéng）分的表麵（miàn）汙染物增加。

真空鍍膜加工（gōng）廠表示，比較常見的真空材料表麵上的汙染物具體有以下幾（jǐ）種類型：
1、油脂：加工、裝配（pèi）、操作時沾染上的潤滑劑、切削液、真空油脂等；
2、酸、堿、鹽類（lèi）物質：清洗時的殘餘物質、手汗、水中的礦物質等；
3、表麵氧化物：材料長期放置在空氣中或放置在潮（cháo）濕（shī）空氣中所形成的表（biǎo）麵氧化物；
4、水基類：操作時的手汗（hàn）、吹（chuī）氣時的水汽（qì）、唾液等；
5、拋光殘渣及環境空氣中（zhōng）的塵（chén）埃和其它有機物等。

清洗這些汙染物的目的是為了改進真空鍍膜機的工作穩定性，使工作能夠更加順利（lì）的（de）進行。清洗後的表麵根據要求分為原子級清潔表（biǎo）麵（miàn）和工（gōng）藝技術上的（de）清潔（jié）表麵兩類。　

在（zài）真（zhēn）空鍍膜機使（shǐ）用鍍膜材料鍍膜前，對鍍膜材料做簡單的表（biǎo）麵清潔可以延長鍍膜機的使（shǐ）用壽命。因為各（gè）種汙染物不僅使真空係統（tǒng）不能獲得所要求的真（zhēn）空度，還（hái）會影響真空部（bù）件連接（jiē）處的強度和密封性能。前（qián）期到位的（de）清洗工作可以減少許多麻煩，避免許多小問（wèn）題（tí）的發生，對工作效率、真（zhēn）空鍍膜機鍍膜質量（liàng）都具有（yǒu）十分積極的作用。可大大提高真空係（xì）統中所有（yǒu）器壁和（hé）其它組件表（biǎo）麵在各（gè）工作條件下（xià）的工作（zuò）穩定性（xìng）。