電子工業中的清洗

有電子元件的電子線路要求有（yǒu）更高（gāo）的潔淨度，各（gè）種對電（diàn）子線路有阻礙作用的微粒汙垢，離子性導電汙垢以及（jí）有腐（fǔ）蝕作用的汙垢一定要徹底加以（yǐ）清除。下麵對電子工業中常用的清洗工藝加以介紹。

半導（dǎo）體矽片的清洗

半導體矽片的加（jiā）工過程是包括清洗工藝在內的複雜過程（chéng）。由於最先進的清（qīng）洗技術屬於高度（dù）保密的內容，所以隻能（néng）對其大致情況作一介紹。

半（bàn）導體矽片的製造，首先是用活潑金（jīn）屬還原二（èr）氧化矽製得高純度的多晶（jīng）矽單質，然後把得到的多晶矽單質加熱到熔（róng）化狀態，引入單晶矽晶種，使矽單質在晶種表麵（miàn）緩慢結晶長大，形成單晶矽固（gù）體（tǐ），然後把得到的單晶矽切成薄圓（yuán）片（一般（bān）矽片厚度為500µm）。

為了去除矽（guī）片表麵的劃（huá）道以（yǐ）及表麵（miàn）缺陷以得到表麵平整光（guāng）潔的矽片要進行研磨，拋光處理。拋光液是用三（sān）氧化二鉛細粉起（qǐ）研磨作用，重銘酸錢是氧化劑能夠腐蝕去除矽片表麵的損（sǔn）傷層，並把表麵拋光（guāng）。

在拋光過程中，切削碎屑，研磨碎屑，磨料的粉末（mò），塵（chén）埃以及光潔劑粉末，乳化（huà）蠟都會不同程度的汙染矽片，必須加以清除。清除工作是在矽片熱處理之前（qián）進行的。

近幾十年來（lái）各國通行的方法都是先用（yòng）含（hán）氨的弱堿（jiǎn）性過氧化氫溶液進行堿性氧（yǎng）化清洗，然後用稀氫氟酸溶液清洗，再用含（hán）鹽酸的酸性過氧化氫溶液進行（háng）酸性（xìng）氧化清洗（xǐ），最後用純水和超純水進行衝洗，並用低沸點有機溶劑蒸氣進行幹燥。下麵根據下圖說明美國公開的一種清洗工藝流程（RCA法），如圖6-16。

圖6-16半（bàn）導體矽片清洗流程（RCA法）

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RCA法清洗流程大致分為以下幾個步驟：

①把單晶矽棒切割成單晶矽薄片，並用研磨劑去掉表麵汙（wū）垢層和浸入本體的汙垢層，得到鏡麵般光滑（huá）的表麵，然後（hòu）用表麵活（huó）性劑水溶（róng）液去除表麵上的一般（bān）汙垢（gòu）。

②把矽片浸泡，再用三氯乙烯等有機溶劑（jì）充分脫脂，然後放在甲醇或丙醇等親水有機溶劑中浸泡除去三氯乙烯，再用純水衝洗幹淨，這步工藝的目的是（shì）為了去脂（zhī）。

③將矽片放（fàng）在由濃氨水（shuǐ），過氧（yǎng）化氫及水按（àn）1：1：（5~7）的比例組（zǔ）成的溶液中浸泡10〜20min，水溫為75〜85°C。這步工藝的目的是在（zài）堿性條件下對（duì）表麵汙垢層進行氧化處理以（yǐ）去除有機汙垢，同時（shí）在表麵形成二氧化（huà）矽薄膜，並把表麵附著的微粒狀汙垢包含在此薄（báo）膜內（nèi）。

④用氫氟酸溶液去除二氧化矽薄膜，並使包含在薄膜內的微粒汙垢從矽片表麵（miàn）脫落，得到潔淨表麵。

⑤把（bǎ）矽片放入由濃鹽酸，過氧化氫和（hé）水按1：1：（5〜7〉比例配成的溶液中，在75〜85°C溫（wēn）度下浸泡10〜20min。目的為把矽片中（zhōng）含有（yǒu）的微量金屬雜質溶解（jiě）去除，同時在（zài）表麵形成穩定的二氧化矽保護膜。

⑥最後用超純水充分衝洗，並（bìng）在旋（xuán）轉幹燥器中進行離心幹燥，並用低沸點有機溶劑進一步置換幹燥。

RCA法工藝的主要特點是（shì）充分利用單晶矽的特性，有針對性地把單（dān）晶（jīng）矽片中的各種（zhǒng）汙垢一一去除。之所以要使用鹽酸，氨水這些揮（huī）發性酸和堿，主要為避免（miǎn）在清洗過程中造成吸附殘留的問題。

半導（dǎo）體集成線路（lù）的製備與清洗

半導體集成線（xiàn）路（lù）的製備過程，根據元件的樣式和構造（zào）不同而變化，但基本工藝（yì）大致相同。基本上是通過（guò）氧化、光刻、外延、擴散等（děng）工藝（yì）在單晶矽片（piàn）基上製成電路中要求的二極管、三極管、電（diàn）阻（zǔ）等元（yuán）件，並把這些（xiē）元件按一定要求連接起來（lái），實（shí）現某種功能。

半導體集成電路的製造工藝過程，大致如圖6-17。

圖6-17半導體集成線路製備過（guò）程

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下麵對上圖中半導體集成（chéng）線路製備過程的流程作一說明。

1.氧化

把洗淨的單晶矽片進行氧化熱處理，把矽片放在加熱到1000℃的爐中與氧氣反應（yīng），目的為（wéi）在矽片（piàn）表麵形成二氧化矽氧化膜，它有三個（gè）作用：

①掩蔽（bì）作用：為保（bǎo）證後續進行雜質擴散工業（yè）時，不使加入的單（dān）質（雜質）進入不需擴散的部位。

②保護作用：二（èr）氧化矽（guī）薄膜可保護矽片不受外（wài）界汙染，使製成的半導體元（yuán）件不致出現短路，漏電等情況。

③絕緣作（zuò）用：由於二氧化矽是（shì）絕緣體，二氧化矽占據的部位都是絕緣的。

2.光致抗（kàng）蝕膜的塗布與前烘處理

光致抗蝕膜是塗在矽片表麵（miàn）的高分子保護膜，它的主要成分是光刻膠。光刻膠是一類對紫外線、X射（shè）線、電子束敏感的高分子化合物，分正型膠和（hé）負型膠兩類。負型膠又稱光致硬化膠，它在（zài）未感光前是可（kě）溶解的（de）線形結（jié）構，感光後聚合交聯（lián）成體型結構，變（biàn）硬而（ér）不溶解，經顯影後可得到與原底（dǐ）片（母板）相反的（de）圖形，未感光部分（fèn）顯影時被溶解（jiě）去除而暴露出二氧化矽（guī）表麵。感光部分因顯（xiǎn）影時不溶解而起保護二氧化矽表麵的作用。

正型膠又稱光致分（fèn）解膠，情況正好相反，在曝光前是不（bú）溶性的。曝光（guāng）後（hòu）變得可溶，因此顯影後得到與原底片（母板）一致的圖案。正（zhèng）型（xíng）膠比（bǐ）負型膠有更高（gāo）的分辨率。由於半（bàn）導體集成線路精確度要求很高，因此需（xū）要采用照相製版和刻（kè）蝕的光刻方（fāng）法加工。下麵以負型膠為例，說明光刻加工過程。

光致抗蝕膠（負型膠）一般由抗蝕劑、增（zēng）感劑、溶劑三部分組成。我國目前使用的抗蝕劑成分多為聚（jù）乙烯醇肉桂酸（suān）酯，相（xiàng）對分子質量在15000-20000。曝光前為線性分子結構，曝光後形成不溶性網狀結構，有很好的抗（kàng）腐蝕作用。增感劑是（shì）對紫外光敏感（gǎn）的有機分子，容易吸收紫外光能，並能（néng）起到（dào）能量傳（chuán）遞作用，把光能傳遞給抗蝕劑分子引發交聯反應。我國（guó）常用的增感劑有苯並三氮哩（lǐ），蒽醌等。溶劑能使光刻膠溶解而均勻塗布於矽片表麵，常用的溶劑為環己酮。

把抗蝕劑、增感劑和（hé）溶劑按大約1：0.05：（10〜13）的比例配合，即製成光致抗蝕膠，把它均勻地塗布在矽片表麵（miàn），並加熱烘幹，目的是使光刻膠與二氧（yǎng）化矽氧化層（céng）緊密結合，這一步驟稱為前烘工（gōng）藝。接下來就可以進行光（guāng）刻工藝了。

光刻是一種把複印圖像和化學腐蝕相結（jié）合的（de）綜合技術。集成線路製造中利用光刻工藝（yì）可在矽片上製作複雜幾（jǐ）何圖（tú）形並嚴格控製圖形尺寸，保證單質雜質的定域擴散，保證電路內部（bù）的正確連線。光刻技術由以下幾個步驟組成，即曝光、顯影、堅膜、刻蝕和雜質擴散。

①曝（pù）光

把印有集成線路圖形的母片底片放在曝光機鏡頭前，並（bìng）通過紫外線（xiàn）照射複印到矽片上的光致（zhì）刻蝕膜（mó）上，使光致抗蝕膜（mó）感光部分發生聚合交聯反應。

②顯影

用丁酮等有機溶劑把曝光過程中未感光部分溶解去除，得到所需的圖形並露出二氧（yǎng）化矽（guī）表麵（miàn）。

③堅膜

又稱後烘處理，目的為使（shǐ）感光部分的抗（kàng）蝕劑在高溫下進一步交聯聚（jù）合，使（shǐ）膠膜與底基材料貼得更緊密以增強抗蝕能力。堅膜處（chù）理一般在180〜200°C下進行30〜40min。

④刻蝕

用氫氟酸、氟化錢和水按質量比3：6：10組（zǔ）成的刻蝕液處理矽片。由於氫氟酸對二氧化矽有（yǒu）很（hěn）強的溶解作（zuò）用，因此未被光致抗蝕膜保護的（de）二（èr）氧化矽表麵被（bèi）溶（róng）解去除，結果（guǒ）矽片表麵上的二氧化矽氧化（huà）膜（mó）有一部分被去除，形成一（yī）個個“窗口”。

⑤雜質擴散

在矽片的“窗口”中（zhōng）加入碎、磷、硼等半導體雜質單質（zhì），並經“窗口”擴散與單晶矽結合形成二（èr）極管，三極管等電子元件，根據設計要求組成集成線路。

在半（bàn）導體集成線（xiàn）路製造過程中，在以下情況要用到清洗工藝（yì）：

①光（guāng）致抗蝕膜塗布前，去除表麵汙垢（gòu）微粒。

主（zhǔ）要用（yòng）水洗（xǐ），伴隨（suí）用刷洗，高壓水噴射，淋洗，流動水浸（jìn）泡和（hé）使用超聲波等手段。

②刻蝕

實際是用清洗劑去除矽片表麵部（bù）分二氧化矽薄膜的過程。通（tōng）常采用氫氟酸溶液處理一（yī）水洗〜幹燥的工藝。

③光致抗蝕膜的剝離去除

在集成線路製成之後要將光致（zhì）抗（kàng）蝕膜剝離去除。一般用加有氧化劑的濃硫酸處理一（yī）水洗一（yī）幹燥等工藝去除這層有機高（gāo）分子膜。

另外，在高溫氧化處理工序之前，對矽片要（yào）進行清洗加工，通常（cháng）使用（yòng）RCA法。

3.常用的清洗方法與技術

（1）濕法化學清洗

大部分的清洗方法可粗略地分為（wéi）濕法清洗和幹法清洗。在過去的30年（nián）中，濕法清洗一直是晶片（piàn）清洗技術的主流（liú）。它是利用溶劑、各種酸堿、表麵活性劑和水（shuǐ），通過（guò）腐蝕、溶解、化學反應轉入（rù）溶液和（hé）冷熱衝洗等方法去除晶片表麵的沾汙物，每次使用化學試劑後都應用超純水清洗，以去除化學試劑的（de）殘留物。雖然沒（méi）有哪一種清洗方法可以適用於所有的（de）清洗要求，但30年（nián）來（lái）濕法清洗（xǐ）已形成了典（diǎn）型的清洗順序：

①擦洗法

當矽（guī）片表麵沾有（yǒu）微粒或有機殘渣時常用擦片（piàn）的方法（fǎ）清洗（見（jiàn）圖6-18）。刷片法被認為是去（qù）除化學機（jī）械拋（pāo）光液（yè）殘（cán）餘物的最有效的（de）方法之一（yī）。這種清洗方法在日（rì）本、韓國和台灣非常普遍，在歐洲和美國也獲得廣泛（fàn）應用。擦洗法一般分為手工擦洗法和機械擦洗法兩（liǎng）種方法。

手工擦洗法（fǎ）是最簡單的一種擦洗法，一般用銀子（zǐ）夾取（qǔ）浸有甲苯、丙酮、無水乙（yǐ）醇等有機溶劑的棉球，在矽片表麵沿著同一（yī）方向輕擦，以去除（chú）蠟膜（mó）、灰（huī）塵、殘膠或其他固（gù）體顆粒（lì）。但此法易造成劃傷，汙染嚴重。

用於擦洗的擦片機又可分（fèn）為純機械性擦刷（shuā）的擦片機和高壓擦片機（jī）等。純機械性擦片（piàn）機利用機械旋轉，使軟羊毛刷或刷輻擦刷矽片表麵。該法較手工（gōng）擦洗造成的矽片劃傷大（dà）大減輕。而高（gāo）壓擦片機由於（yú）無機械摩擦，則不會劃傷矽片表麵。

圖6-18刷片清洗（xǐ）法（fǎ）結（jié）構圖（tú）

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②超聲（shēng）波清洗法

超聲波清（qīng）洗是（shì）半導體工業中廣泛（fàn）應用的一種清洗方法，該方法的優點是：清洗（xǐ）效果好，操作簡單，對於複雜的器件和容器也能清除。但該方法具（jù）有噪聲較大、換能器易（yì）壞的（de）缺點。

該（gāi）方法的清洗原理如下：在強烈的超聲波作用下（常用的超聲波頻率為20kHz到40kHz左右），液體內部會產生疏部和密部，疏部（bù）產生近乎真空的空腔泡，當空腔泡消失的瞬（shùn）間，其附近便產生強大的扃部壓（yā）力（lì），使分子內（nèi）的化學鍵斷裂，因此使矽（guī）片表麵的雜（zá）質解吸。當超聲波（bō）的頻率和空腔泡的（de）振動頻率共振時（shí），機械作用力達到最大，泡內聚集的大量熱能，使溫度升高，促進化學反應的發生。超聲波（bō）清洗的效果與超聲條件（jiàn）（如溫度、壓力、超聲頻率、功（gōng）率等）有關，而且提高超聲波功率往往有利於清洗效果的提高（gāo）。

超聲（shēng）波清洗主要用在除去粒徑（jìng）大粒（lì）子，隨著粒子尺寸的減小（xiǎo），清洗效果下降。為了（le）增加超聲波（bō）清洗效（xiào）果，有時在清洗液中加（jiā）入表麵活性（xìng）劑。但表麵活（huó）性劑和其他化學試劑一樣，也存在汙染。無機物被（bèi）除去（qù）後，化學試劑本身的粒子（zǐ）卻（què）留下了。同時由（yóu）於聲波能的（de）作（zuò）用，會對片子造成損傷。

③兆聲波清洗（xǐ）法

兆聲波清洗不但保存了超聲波清洗的優點，而且克服了它（tā）的不足。它（tā）是濕法化學清洗（xǐ）應用最廣泛的措施，它利用0.8~1.0MHz的聲波去除（chú）水（shuǐ）浴（yù）中晶片上（shàng）的顆粒，去除（chú）效率是（shì）清洗時間和顆粒尺寸的函數（見圖6-19）。兆聲波清洗的機（jī）理是由高能（850kHz）頻（pín）振效應並結合化學清洗劑的化（huà）學反應對矽片（piàn）進行清洗的。清洗時不形成超聲波清洗（xǐ）那樣的氣泡，隻以（yǐ）高速的流體波連續衝擊晶片表麵，使矽片表麵附（fù）著的汙染物和微粒被強製除（chú）去並進入到清洗液中。兆聲去除顆粒的作用（yòng）機（jī）理仍（réng）不明確，但可（kě）以肯定顆粒去除（chú）度與聲波流的空穴作用、氣體溶解度和振蕩效應都有關係。這種方法能同時起到機（jī）械擦片（piàn）和（hé）化學清洗兩種方法的作用。目前（qián）兆聲波清洗方法已成為拋光片清洗的（de）一種有效方法。

兆（zhào）聲清洗為了達到清洗目的，也常使用表麵活性劑（jì），使粒子不再沉積在表麵上。兆聲清洗頻率較高，不同於會產生駐波的超（chāo）聲波清洗。兆聲清洗不會損傷矽片。同時在兆聲清洗過（guò）程中（zhōng），無機械移（yí）動部件。因此可減少在清洗過程本身所造成的沾汙。

圖（tú）6-19兆（zhào）聲（shēng）清洗

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④激光清（qīng）洗法

激（jī）光清洗是利用激光把表麵沾汙物（wù）浮起（qǐ），然後（hòu）利用流動的惰性氣體將雜質帶走。這種方法（fǎ）可使表麵微缺陷小於1A，去除80~0.09µm的顆粒，也（yě）可去除CMP拋光液殘（cán）餘物、光刻殘（cán）留物、有害化（huà）學物和金屬離子。這種方法可以不消耗（hào）水和（hé）化學試劑，不受親水性限（xiàn）製，也不會產生有害的廢料。與（yǔ）濕法清洗相比，激光清洗去除微粒效果很好，如圖6-20所示，實驗中用4組（每組5片（piàn））晶片，其中（zhōng）三組用傳統濕法（fǎ）清洗：SPM（H₂SO₄/H₂O₂/H₂O）、NH₄OH和RCA配（pèi）合（hé）兆聲清洗，再用純水（shuǐ）清洗，然後甩幹；另外一（yī）組用（yòng）激光清洗，且不用其餘兩步，結果表明激光清（qīng）洗效果最好。雖然不是對各種表麵汙（wū）染物（wù），結（jié）果都如此，至少可說明激光清洗大有潛力。

圖6-20激光清洗與傳統清洗比（bǐ）較

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晶片清洗工序本身也能引起（qǐ）汙染沉（chén）積。例如浸漬溶（róng）液處理雖然能夠很好地去除產品表（biǎo）麵（miàn）的有機薄膜，但有時也能使聚集在槽（cáo）內的微粒重新沉積在產（chǎn）品上。另外，清（qīng）洗方法不（bú）當或者清洗操作（zuò）不正（zhèng）確，會使清洗不起作用，或者引起（qǐ）雜質的（de）再汙染，也是造成產品汙染的一個原因。

（2）幹法（fǎ）清洗技術

所謂幹法清洗是相對濕法化學清洗而言的，一般指不釆（biǎn）用溶（róng）液的清洗技術。根據（jù）是否徹底不采用溶液工藝，又可分為“全幹法”清洗和“半幹法”清洗（xǐ）。目前常采（cǎi）用的幹法清（qīng）洗（xǐ）技術有：等離子體清洗技術、汽相清洗等。等離子體清洗屬於（yú）全幹法清洗，而汽相法清洗屬於半幹法清洗。

①等離（lí）子體（tǐ）清洗技術

等離子體清洗技術在矽片（piàn）清（qīng）洗中比較成熟的應用便是等離子體去膠（幹法去膠）。所謂等離子體去膠是指在反應係統中通入少量的氧氣，在強電場作用下，使低氣（qì）壓的氧氣產生（shēng）等離子體，其中活（huó）化氣（或稱活（huó）潑的原子態氣（qì））占有（yǒu）適當比例，可以迅速地使光刻膠氧化成可揮發性氣體狀態被機械泵抽走，這樣把矽片上的（de）光刻膠膜去除掉。該法具有工藝簡單（dān）、操作方便、沒有廢料處理和環境汙（wū）染等問題。但是不能去除碳和其他非揮發（fā）性（xìng）金屬或金屬（shǔ）氧化物。如錫的殘質會留在矽表麵（miàn）上，因此還要加一道去除金屬雜質的洗液（yè）清洗。

②汽相清洗

汽相清洗（xǐ）是指（zhǐ）利用液體工藝中對應物質的汽相等效物（如去氧化物的HF）與矽片表麵的沾汙物質相互作用，而達（dá）到去除雜（zá）質目的的一種清（qīng）洗方法。

HF汽相幹洗技術成功地用（yòng）於（yú）去（qù）除氧化膜和（hé）金屬後腐蝕殘餘，並可減少清洗後自（zì）然生長的氧化膜量。

汽相幹洗是在常壓下使用HF氣體控製係統的濕度。先低速旋轉片子，再高速使片子幹燥，HF蒸（zhēng）氣對由清洗（xǐ）引起的（de）化學氧化膜的存在的工藝過程是主要的清洗方法，有廣泛的應用（yòng）前景。另一種方法是在負壓下使（shǐ）HF揮發成霧。

通常為達到一個好的結果含水（shuǐ）HF工藝必須附加一個顆粒清除過程（如用1號液超聲）特別是如果使（shǐ）用最後的旋轉衝洗和幹燥步驟更應如（rú）此。與含水HF工藝相比，本工藝的一個重要（yào）的好處是（shì）HF的化學消耗少得多，節省了很（hěn）大的費用。

（3）束流清洗技術

束流（liú）清（qīng）洗技術是指利用含有較高能量的成束流狀的物質流（能量流）與矽片表麵（miàn）的沾汙雜質發生（shēng）相互作用而達到清除（chú）矽片表麵雜質的一種清洗技術。常（cháng）用的束（shù）流清洗技術有微集射束流清洗技術、激光束技術、冷凝噴霧（wù）技術（shù）等。

微集射束（shù）流清洗（xǐ）技術是一種新型的在線（xiàn）矽（guī）表麵清洗技術。該技術采（cǎi）用電流體力學噴射原理，將毛細管中噴射出的清洗液（yè）作用到矽片表麵，清除矽片表麵的顆粒和有機薄膜沾汙（wū）。

其去（qù）汙原理如下：噴射而出（chū）的微束流所具有的衝擊力作用到沾汙顆粒上，克服顆粒與矽片之間的範德（dé）瓦爾斯附著力，使沾汙顆粒升起，脫離矽片表麵，達（dá）到清洗目的。當清洗液（yè）速度極（jí）高（gāo）時，會在矽（guī）片表麵物質中產（chǎn）生微衝（chōng）擊波，這種衝擊波可以除去片子表麵的膜層，為（wéi）防止清洗時對矽片表麵二氧化（huà）矽層的損（sǔn）傷，清洗束流的最大速（sù）度大約選在5km/s。

微集射束流表麵清（qīng）洗技術（shù）用在半導體矽片清洗中是清洗技術上（shàng）的一（yī）種（zhǒng）突破，具有很大（dà）的潛力。其優點：一是清洗液消耗量很少；二是減（jiǎn）少了二次汙染的發生。更重要的是，清洗液束流尺寸（cùn）與亞微米器（qì）件圖形的幾何尺寸以及沾汙顆粒的（de）尺寸處於同一數量級，這使管芯上縫隙裏的沾汙也能被清（qīng）除。

目（mù）前微集射束流表麵清洗技術的研究重點（diǎn）是：如何優化清洗條件，比如：多重噴射陣列，噴射能量及束流尺（chǐ）寸、矽片取向、處理時間等。

（4）小結

在集成電路的製程中有（yǒu）多達20%的步驟為清洗工藝，不同的工藝技術所要求的矽片最終表麵狀態不同，其使用的清洗方法也（yě）不相同。20世紀70年（nián）代（dài）後期對兆聲清洗（xǐ）進行了討（tǎo）論，20世紀80年代後期采用了全封閉（bì）清洗（xǐ）和（hé）幹法清洗技術（shù）。到（dào）了20世紀90年代對各種清洗（xǐ）方法進行改進並把各種清洗方法綜合使用。化學試劑和氣體的純度大（dà）大（dà）改善，為化學清洗新技術提供了可能。所以到（dào）目前為止，清洗已經不再是一個簡單的步驟，而（ér）是一個係統工程。

印刷電子線路板的清（qīng）洗

由於組裝各（gè）種電子元件的印刷（shuā）線路板正向高密集（jí）化方向發展，因此對清洗技術的要求（qiú）也越來越高。

1.印刷線路板上的汙（wū）垢

造成印刷線路板汙染的是一些特定的汙垢，主要是焊接（jiē）熔劑（jì）留下的殘渣。

表6-12列有焊接熔劑的主要成分。焊劑分為鬆香劑和水溶性焊劑兩種。

由表（biǎo）6-12可看出，焊接熔劑是由溶劑、活性物質、樹（shù）脂類物質和表麵活性劑（jì）組成。有機（jī）溶劑的作用（yòng）是促使溶劑流動，活性物質的作用在於（yú）去除金屬表麵（miàn）的氧化物，樹脂類物（wù）質能防止（zhǐ）金屬表麵被氧化和（hé）使（shǐ）熔劑易於流動，表麵活性劑有洗滌作用。

焊接熔劑（jì）和加熱形成的變性物質的微量（liàng）殘渣殘留在印（yìn）刷線路板表（biǎo）麵是造成線路板絕緣性變差和接觸（chù）不良的原因，也是造成電子線路腐蝕和（hé）引起接（jiē）線點鬆動的原因。

焊接熔劑在焊接過程中形成（chéng）的殘渣（zhā）成分見表6-13。

表6-12焊接（jiē）熔劑的主要成分

表6-13焊接後的殘渣

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鬆香焊劑是使用最廣（guǎng）泛的一種焊劑，它的主（zhǔ）要成分鬆香是一種透明玻璃狀的脆性物（wù）質，外觀呈淺（qiǎn）黃色至黑色，一般顏色越淺，品質越好。鬆香有特殊氣味，它是以鬆香酸為主要成分的各種樹脂酸的混合物，其中鬆香（xiāng）酸含量越大（dà），酸度越大，軟化溫度越高。

鬆（sōng）香酸（suān）是化學性質較穩定的物（wù）質，它（tā）不溶於水，可溶於KB值較高的親油性溶劑和醇類溶劑。在焊接受熱過程中，鬆香及其（qí）溶劑會氧化分解，產生的白色殘渣造成焊接性能變差。表6-13中，殘渣中極性大的離子性成分是（shì）造成電子線路板（bǎn）的絕緣性變差和腐（fǔ）蝕的主要物質。清除的主要對（duì）象也（yě）是這類物質。檢驗清洗效果就是根據表麵絕緣性能和離子性物質殘餘量來確（què）定的。

2.印（yìn）刷線路板的性能對清洗的影響

由於印刷線路板是由耐（nài）腐（fǔ）蝕性（xìng）差的（de）金屬和耐溶劑性能差的（de）塑料製成（chéng），所以清洗（xǐ）時要避免（miǎn）使用強酸、強堿和某些有機溶劑。

由於印刷線路板的組裝部（bù）件日趨小型化、高密（mì）度化，因此造成清洗焊接殘（cán）渣的工作變得更加困（kùn）難。

3.清洗方法

目前（qián）清洗印刷線路（lù）板主要使（shǐ）用氟氯坯溶劑與醇類組成的共沸（fèi）混合溶劑，如在三氟三氯乙烷（CFC-113）中加入少量（liàng）乙醇。少（shǎo）量的（de）乙醇能（néng）增強氟氯炷的溶（róng）解能力（lì），更好地發揮氟氯繪溶劑的（de）不燃、低毒、易幹燥、潤濕性好、不腐蝕損傷線路板的優點。但由於氟氯疑對大氣臭氧層（céng）的破壞，目前正被（bèi）逐（zhú）步禁止使用，所以目前（qián）正在尋找（zhǎo）新（xīn）的替代溶劑。研製中的替代溶劑（jì）主要有HCFC係列溶劑、氯代姪合成溶劑（jì）、桂類溶劑、醇類溶劑、堿性水（shuǐ）溶（róng）液等。這幾種替代（dài）溶（róng）劑各有長短，目前仍以通常使用的氟氯坯-醇類混合溶劑使用效果最好，也最簡便。為了從根本上解決焊接熔（róng）劑殘渣造成的問題（tí），目前正在開發研（yán）究不需要清洗的免清洗焊劑。